半导体

普科PKDV5403高压差分探头凭借350MHz高带宽,±4000V高压耐压,2%高精度及强抗干扰特性,完美适配第三代半导体SiC MOSFET双脉冲测试场景,精准解决了高频瞬态捕捉,高压安全,抗干扰,操作便捷性等核心痛点....

普科科技PK-CWT mini/30柔性电流探头凭借12kA 峰值测量能力,0.1Hz-20MHz 超宽频带,40kA/μs 高 di/dt 耐受,100/200mm 小线圈柔性设计等核心优势,成为功率模块,IPM 产线测试中的理想测试工具....

围绕 SiC 和 GaN MOSFET 构建的新型电源转换器设计需要精心设计和测试以优化性能....

在能源问题日益突出的现代，以IGBT为代表的功率半导体器件以其优良的能效转换性能广发应用于功率电子领域。正确的IGBT测试技术，不仅能准确的测量IGBT各项电气指标，而且可以尽可能降低IGBT对整体电路的影响。...

在能源问题日益突出的现代，以IGBT为代表的功率半 导体器件以其优良的能效转换性能广发应用于功率电子领域。...